氮化鎵5G通訊技術

為促進發展我國新型半導體材料的發展產業,在高功率以及高頻率應用,氮化鎵(GaN)已經是全球最受矚目的材料之一,其寬能隙、高電子遷移率、高電子飽和速度、及高熱穩定等特性為主要優勢。寬能隙特性造就其優異的崩潰電壓與熱穩定,有利於在新世代高壓、高功率通訊元件的操作;高電子飽和速度之特點更利於此元件在高頻率的卓越表現。

近十年來邱顯欽教授主要研究內容為氮化鎵寬能係材料,對於目前5G通訊以及節能電子都有非常多的豐碩的研究內容。